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<自由財經>中喊「第三代」包藏野心 台產研界︰應正名化合物半導體
 [列印]添加時間:2021-10-08   有效期:不限 至 不限   瀏覽次數:0
 

碳化矽、氮化鎵化合物半導體元件屬於一部分應用,並不能完全取代原來以矽為主的半導體。(彭博)

碳化矽、氮化鎵應回歸國際通稱

〔記者洪友芳/新竹報導〕碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)化合物半導體元件躍為當紅炸子雞產業。工研院電光所所長吳志毅昨說,中國近幾年砸大錢,政策大力補助發展電動車、建構化合物半導體產業鏈,並將化合物半導體另取名為「第三代半導體」,原因是中國在第一代、第二代發展遠落後國際,企圖在第三代半導體急起直追躍為領導者;他強烈建議台灣產官學界應將碳化矽、氮化鎵正名為化合物半導體,不應跟著中國喊「第三代半導體」。

旺宏電子總經理盧志遠也說,碳化矽、氮化鎵化合物半導體元件屬於一部分應用,並不能完全取代原來以矽為主的半導體,為何被稱為「第三代半導體」?他感到很不解;經過一番研究,原來是中國發明的名詞,台灣不應跟著中國起舞,應該回歸國際通稱的化合物半導體。

吳志毅指出,化合物半導體早於四、五十年前就開始發展,美國扎根逾三十年,最大的碳化矽廠商科銳(Cree),三十年前就從國防工業、如戰車高功率晶片切入化合物半導體領域;比起矽材料,化合物半導體具備高速、高頻、耐高電壓的性能,碳化矽、氮化鎵被看好適合應用在高頻無線通訊5G、高功率轉換的電動車。

吳志毅說,用在電動車為主的碳化矽,約有九十%由歐美日主導,南韓、中國近年來透過政策補助急追,中國近幾年更是砸大錢,補助發展電動車、建構化合物半導體產業鏈,另取名為「第三代半導體」,主因是中國在以矽為主的第一代半導體,與砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)的第二代半導體都落後國際,才企圖在化合物半導體領域成為領導國。

吳志毅強調,5G通訊、電動車、綠能與電廠都需要化合物半導體,或許需求量不大,但卻是不可或缺,可說是重要的戰略元件;台灣半導體產業鏈完整,理應具有發展的競爭優勢,產官學研更要一起努力克服挑戰。

小辭典》化合物半導體 具高頻、耐高電壓特性

目前半導體市場主要以矽為單一元素,市占率超過九成,不管是台積電、聯電、世界先進代工生產的邏輯IC,或三星、美光生產的記憶體,都是矽晶片;矽晶片的優點是可做到線寬很細,電晶體密度高,缺點是材料導電速度與耐高壓不如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)。

兩種元素或以上組合而成的半導體就是化合物半導體,應用最多的是砷化鎵(GaAs),大多用在光纖通訊、無線通訊的晶片;隨著高頻的5G通訊、高電壓的電動車發展,擁有高頻、耐高電壓特性的氮化鎵、碳化矽的化合物半導體元件因此崛起;氮化鎵已被應用在較大量消費型的快充產品,電壓越大的高功率元件則適用碳化矽,技術門檻也較高,專利多掌握歐美等外商手中。(記者洪友芳)