碳化矽、氮化鎵化合物半導體元件屬於一部分應用，並不能完全取代原來以矽為主的半導體。（彭博）

碳化矽、氮化鎵應回歸國際通稱

〔記者洪友芳／新竹報導〕碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）化合物半導體元件躍為當紅炸子雞產業。工研院電光所所長吳志毅昨說，中國近幾年砸大錢，政策大力補助發展電動車、建構化合物半導體產業鏈，並將化合物半導體另取名為「第三代半導體」，原因是中國在第一代、第二代發展遠落後國際，企圖在第三代半導體急起直追躍為領導者；他強烈建議台灣產官學界應將碳化矽、氮化鎵正名為化合物半導體，不應跟著中國喊「第三代半導體」。

旺宏電子總經理盧志遠也說，碳化矽、氮化鎵化合物半導體元件屬於一部分應用，並不能完全取代原來以矽為主的半導體，為何被稱為「第三代半導體」？他感到很不解；經過一番研究，原來是中國發明的名詞，台灣不應跟著中國起舞，應該回歸國際通稱的化合物半導體。

吳志毅指出，化合物半導體早於四、五十年前就開始發展，美國扎根逾三十年，最大的碳化矽廠商科銳（Cree），三十年前就從國防工業、如戰車高功率晶片切入化合物半導體領域；比起矽材料，化合物半導體具備高速、高頻、耐高電壓的性能，碳化矽、氮化鎵被看好適合應用在高頻無線通訊5G、高功率轉換的電動車。

吳志毅說，用在電動車為主的碳化矽，約有九十％由歐美日主導，南韓、中國近年來透過政策補助急追，中國近幾年更是砸大錢，補助發展電動車、建構化合物半導體產業鏈，另取名為「第三代半導體」，主因是中國在以矽為主的第一代半導體，與砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）的第二代半導體都落後國際，才企圖在化合物半導體領域成為領導國。

吳志毅強調，5G通訊、電動車、綠能與電廠都需要化合物半導體，或許需求量不大，但卻是不可或缺，可說是重要的戰略元件；台灣半導體產業鏈完整，理應具有發展的競爭優勢，產官學研更要一起努力克服挑戰。

小辭典》化合物半導體 具高頻、耐高電壓特性

目前半導體市場主要以矽為單一元素，市占率超過九成，不管是台積電、聯電、世界先進代工生產的邏輯IC，或三星、美光生產的記憶體，都是矽晶片；矽晶片的優點是可做到線寬很細，電晶體密度高，缺點是材料導電速度與耐高壓不如氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）。

兩種元素或以上組合而成的半導體就是化合物半導體，應用最多的是砷化鎵（GaAs），大多用在光纖通訊、無線通訊的晶片；隨著高頻的5G通訊、高電壓的電動車發展，擁有高頻、耐高電壓特性的氮化鎵、碳化矽的化合物半導體元件因此崛起；氮化鎵已被應用在較大量消費型的快充產品，電壓越大的高功率元件則適用碳化矽，技術門檻也較高，專利多掌握歐美等外商手中。（記者洪友芳）